Máxima excursión simétrica transistor
La máxima excursión simétrica de un transistor se refiere a la máxima amplitud de la señal de entrada que puede aplicarse al transistor antes de que se alcance la saturación en ambos extremos de la señal. En otras palabras, se trata de la máxima diferencia de voltaje que puede aplicarse de manera simétrica al transistor sin distorsionar la señal de salida.
La máxima excursión simétrica de un transistor depende de varios factores, como la corriente de polarización, la ganancia del transistor, la impedancia de carga, entre otros. En general, se puede calcular la máxima excursión simétrica como la mitad de la tensión de alimentación (Vcc) menos la caída de voltaje en el transistor en saturación.
Por ejemplo, si tenemos un transistor con una tensión de alimentación de 12V y una caída de voltaje en saturación de 0.7V, la máxima excursión simétrica sería:
Vexc = (Vcc / 2) - Vsat
Vexc = (12V / 2) - 0.7V
Vexc = 6V - 0.7V
Vexc = 5.3V
Por lo tanto, en este caso, la máxima excursión simétrica sería de 5.3V. Es importante tener en cuenta estos límites al diseñar circuitos con transistores para evitar la distorsión de la señal de salida.